ДекларацииLAB
Открываем реестр деклараций
Открываем реестр деклараций
Сайт использует cookie
Обязательные cookie нужны для входа, безопасности, оплаты и работы сервиса. Аналитические и маркетинговые технологии включаются только после вашего согласия. Подробнее: Политика cookie и Политика обработки персональных данных.
Причина изменения статуса
Основание: Декларация № 20112461 от 22.04.2025
В связи с заменой
Показать полностьюСвернутьИтоговая оценка сформирована. Зарегистрируйтесь бесплатно или войдите, чтобы увидеть подробные факторы.
Справочно; не является юридическим заключением. Методика · Оспорить оценку
Навигация
Разделы документа
Руководитель
Власова Татьяна Сергеевна
Директор
ИНН
6658563412
ОГРН
1236600028411
Адрес места нахождения
620131, Россия, Свердловская область, город Екатеринбург г.о., г Екатеринбург, ул Металлургов, д. 40, к. 1 , кв. 64
Российская Федерация
Дата регистрации
2 мая 2023 г.
Организационно-правовая форма
Юридическое лицо
Тип декларанта
Юридическое лицо
Контактная информация
natalya@arvisgroup.ru
+79022659599
Сведения о регистрирующем органе
Инспекция Федеральной налоговой службы по Верх-Исетскому району г.Екатеринбурга
Наименование
Analog Devices IncАдрес места нахождения
Соединенные Штаты, 95134, California, San Jose, Rio Robles, 160
Соединенные Штаты Америки
Филиалы
Таиланд, 20000, Chonburi, 700/114 Moo 5 Amata Nakorn Industrial Estate Muang
Тайвань (Китай), Hsinchu, No. 18, Lixing First Road, East District
Филиппины, Cavite, Gateway Business Park Special Export Processing Zone Brgy. Javalera, General Trias
Китай, 211806, Jiangsu Province, Nanjing, 16, Zifeng Road, Pukou Economic Development Zone
Ирландия, 11767, Dublin 4, Beaver House, Beech Hill Office Campus,Clonskeagh
Наименование продукции
Внешние накопители информации: контактная память IBUTTON,Идентификации
Артикул: торговых марок: Analog Devices, Maxim Integrated. Артикулы: DS1904L-F5#, DS1961S-F3+, DS1961S-F5+, DS1963S-F5+, DS1964S-F5+, DS1971-F3+, DS1971-F5+, DS1972-F3+, DS1972-F5+, DS1973-F3+, DS1973-F5+, DS1977-F5#, DS1982-F3+, DS1982-F5+, DS1985-F3+, DS1985-F5+, DS1990AA-F3+, DS1990AA-F5+, DS1990A-F3+, DS1990A-F5+, DS1990C-F5+, DS1990C-F5+, DS1990R-F3#, DS1990R-F5#, DS1992L-F5+, DS1993L-F5+, DS1994L-F5+, DS1995L-F5+, DS1996L-F5+.
Декларация соответствия распространяется на продукцию, изготовленную с даты изготовления отобранных образцов (проб) продукции, прошедших исследования (испытания) и измерения, указанную в акте(ах) отбора
Условия хранения
Условия и сроки хранения стандартные при нормальных значениях климатических факторов внешней среды. Срок службы (годности) указан в эксплуатационной документации. Обозначения и наименования стандартов, включенных в перечни стандартов, в результате применения которых на добровольной основе обеспечивается соблюдение требований ТР ЕАЭС 037/2016 "Об ограничении применения опасных веществ в изделиях электротехники и радиоэлектроники": СТБ IEC 62321-2012 "Изделия электротехнические. Определение уровня шести регламентированных веществ (свинца, ртути, кадмия, шестивалентного хрома, полибромбифенилов, полибромированных дифениловых эфиров)"; ГОСТ IEC 62321-3-1-2016 "Определение регламентированных веществ в электротехнических изделиях. Часть 3-1. Скрининг. Анализ свинца, ртути, кадмия, общего хрома и общего брома методом рентгенофлуоресцентной спектрометрии".
Условия и сроки хранения стандартные при нормальных значениях климатических факторов внешней среды. Срок службы (годности) указан в эксплуатационной документации. Обозначения и наименования стандартов, включенных в перечни стандартов, в результате применения которых на добровольной основе обеспечивается соблюдение требований ТР ЕАЭС 037/2016 "Об ограничении применения опасных веществ в изделиях электротехники и радиоэлектроники": СТБ IEC 62321-2012 "Изделия электротехнические. Определение уровня шести регламентированных веществ (свинца, ртути, кадмия, шестивалентного хрома, полибромбифенилов, полибромированных дифениловых эфиров)"; ГОСТ IEC 62321-3-1-2016 "Определение регламентированных веществ в электротехнических изделиях. Часть 3-1. Скрининг. Анализ свинца, ртути, кадмия, общего хрома и общего брома методом рентгенофлуоресцентной спектрометрии".
Показать полностьюСвернутьПроисхождение
Соединенные Штаты АмерикиГруппа продукции ЕАЭС
Страна места нахождения испытательной лаборатории: Соединенные Штаты Америки
Соединенные Штаты Америки, 95134, California, San Jose, Rio Robles, 160
Протоколы:
В связи с заменой
